ໃນເວລາທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກແລະຮູ recombine, ມັນສາມາດ radiate ແສງສະຫວ່າງທີ່ເຫັນໄດ້, ສະນັ້ນມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອເຮັດໃຫ້ diodes emitting ແສງສະຫວ່າງ.ໃຊ້ເປັນໄຟຊີ້ບອກໃນວົງຈອນແລະເຄື່ອງມື, ຫຼືປະກອບດ້ວຍຂໍ້ຄວາມຫຼືການສະແດງດິຈິຕອນ.Gallium arsenide diodes ປ່ອຍແສງສີແດງ, diodes gallium phosphide ປ່ອຍແສງສີຂຽວ, diodes silicon carbide ປ່ອຍແສງສະຫວ່າງສີເຫຼືອງ, ແລະ gallium nitride diodes ປ່ອຍແສງສີຟ້າ.ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງເຄມີ, ມັນຖືກແບ່ງອອກເປັນ OLED diode ປ່ອຍແສງສະຫວ່າງອິນຊີແລະ inorganic light-emitting diode LED.

diodes emitting ແສງສະຫວ່າງແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍທົ່ວໄປອຸປະກອນແສງສະຫວ່າງ emit ພະລັງງານໂດຍຜ່ານການ recombination ຂອງເອເລັກໂຕຣນິກແລະຮູເພື່ອ emission ແສງສະຫວ່າງ.ພວກເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນພາກສະຫນາມຂອງການເຮັດໃຫ້ມີແສງ.[1] ໄດໂອດປ່ອຍແສງສະຫວ່າງສາມາດປ່ຽນພະລັງງານໄຟຟ້າເປັນພະລັງງານແສງໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບແລະມີການນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນສັງຄົມທີ່ທັນສະໄຫມ, ເຊັ່ນ: ແສງສະຫວ່າງ, ຈໍສະແດງຜົນຮາບພຽງ, ແລະອຸປະກອນທາງການແພດ.[2]

ປະເພດຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກນີ້ປະກົດຂຶ້ນໃນຕົ້ນປີ 1962. ໃນຍຸກທໍາອິດ, ພວກເຂົາເຈົ້າພຽງແຕ່ສາມາດປ່ອຍແສງສີແດງແສງສະຫວ່າງຕ່ໍາ.ຕໍ່ມາ, ສະບັບ monochromatic ອື່ນໆໄດ້ຖືກພັດທະນາ.ແສງສະຫວ່າງທີ່ສາມາດປ່ອຍອອກມາໄດ້ໃນມື້ນີ້ໄດ້ແຜ່ລາມໄປສູ່ແສງສະຫວ່າງທີ່ເບິ່ງເຫັນ, ແສງອິນຟາເລດແລະແສງ ultraviolet, ແລະຄວາມສະຫວ່າງໄດ້ເພີ່ມຂຶ້ນໃນລະດັບຫຼາຍ.ຄວາມສະຫວ່າງ.ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຍັງ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ເປັນ​ໄຟ​ຊີ້​ບອກ​, ຄະ​ນະ​ກໍາ​ມະ​ການ​, ແລະ​ອື່ນໆ​;ດ້ວຍຄວາມກ້າວຫນ້າຂອງເຕັກໂນໂລຢີຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, diodes emitting ແສງສະຫວ່າງໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການສະແດງແລະການເຮັດໃຫ້ມີແສງ.

ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ diodes ທໍາມະດາ, diodes emitting ແສງສະຫວ່າງແມ່ນປະກອບດ້ວຍ PN junction, ແລະພວກເຂົາເຈົ້າຍັງມີ unidirectional conductivity.ເມື່ອແຮງດັນສົ່ງຕໍ່ຖືກນໍາໄປໃຊ້ກັບໄດໂອດທີ່ປ່ອຍແສງ, ຮູທີ່ສີດຈາກພື້ນທີ່ P ຫາພື້ນທີ່ N ແລະອິເລັກຕອນທີ່ສັກຈາກພື້ນທີ່ N ໄປຫາພື້ນທີ່ P ຕາມລໍາດັບແມ່ນຕິດຕໍ່ກັບເອເລັກໂຕຣນິກໃນເຂດ N ແລະ voids. ໃນເຂດ P ພາຍໃນສອງສາມໄມໂຄຣນຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ PN.ຮູຂຸມຂົນລວມເຂົ້າກັນແລະຜະລິດ fluorescence ການປ່ອຍອາຍພິດ spontaneous.ລັດພະລັງງານຂອງເອເລັກໂຕຣນິກແລະຮູໃນວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ແຕກຕ່າງກັນແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ.ໃນເວລາທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກແລະຮູ recombine, ພະລັງງານທີ່ປ່ອຍອອກມາແມ່ນແຕກຕ່າງກັນບາງຢ່າງ.ພະລັງງານທີ່ປ່ອຍອອກມາຫຼາຍເທົ່າໃດ, ຄວາມຍາວຄື້ນຂອງແສງທີ່ປ່ອຍອອກມານັ້ນສັ້ນລົງ.ການນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປແມ່ນ diodes ທີ່ປ່ອຍແສງສີແດງ, ສີຂຽວຫຼືສີເຫຼືອງ.ແຮງດັນການແບ່ງຕົວແບບປີ້ນກັບຂອງໄດໂອດປ່ອຍແສງແມ່ນສູງກວ່າ 5 ໂວນ.ເສັ້ນໂຄ້ງລັກສະນະ volt-ampere ໄປຂ້າງຫນ້າຂອງມັນແມ່ນຊັນຫຼາຍ, ແລະມັນຕ້ອງຖືກນໍາໃຊ້ເປັນຊຸດທີ່ມີຕົວຕ້ານທານທີ່ຈໍາກັດໃນປະຈຸບັນເພື່ອຄວບຄຸມກະແສໄຟຟ້າຜ່ານ diode.

ສ່ວນຫຼັກຂອງໄດໂອດປ່ອຍແສງແມ່ນ wafer ປະກອບດ້ວຍສານ semiconductor P-type ແລະ N-type semiconductor.ມີຊັ້ນການຫັນປ່ຽນລະຫວ່າງ P-type semiconductor ແລະ N-type semiconductor, ເຊິ່ງເອີ້ນວ່າ PN junction.ໃນຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ PN ຂອງວັດສະດຸ semiconductor ບາງຢ່າງ, ເມື່ອຜູ້ບັນທຸກສ່ວນນ້ອຍທີ່ຖືກສັກແລະຜູ້ຂົນສົ່ງສ່ວນໃຫຍ່ recombine, ພະລັງງານທີ່ເກີນຈະຖືກປ່ອຍອອກມາໃນຮູບແບບຂອງແສງສະຫວ່າງ, ດັ່ງນັ້ນການປ່ຽນພະລັງງານໄຟຟ້າໂດຍກົງເປັນພະລັງງານແສງສະຫວ່າງ.ດ້ວຍແຮງດັນ reverse ນໍາໃຊ້ກັບ PN junction, ມັນເປັນການຍາກທີ່ຈະສີດພົກພານ້ອຍ, ສະນັ້ນມັນບໍ່ປ່ອຍແສງສະຫວ່າງ.ໃນເວລາທີ່ມັນຢູ່ໃນສະພາບການເຮັດວຽກໃນທາງບວກ (ຫມາຍຄວາມວ່າ, ແຮງດັນໃນທາງບວກຖືກນໍາໃຊ້ກັບທັງສອງສົ້ນ), ໃນເວລາທີ່ກະແສຈາກ LED anode ກັບ cathode, ໄປເຊຍກັນ semiconductor ປ່ອຍແສງສະຫວ່າງຂອງສີທີ່ແຕກຕ່າງກັນຈາກ ultraviolet ກັບ infrared.ຄວາມເຂັ້ມຂອງແສງແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບປະຈຸບັນ.